Khống chế sự hình thành tăng trưởng dạng đảo của germani trên đế siclic bằng phương pháp epitaxy chùm phân tử

Bài viết tập trung nghiên cứu, chế tạo màng Ge chất lượng cao trên đế Si (100) với mật độ sai hỏng dạng dây thấp, đạt được nhờ quá trình tăng trưởng hai bước và xử lý nhiệt nhanh ở 900oC trong thời gian 3 phút. Phương pháp chế tạo mẫu là phương pháp epitaxy chùm phân tử. Mật độ khuyết tật đạt được chỉ dưới 104 cm-2 , kết quả này góp phần hiện thực hoá việc chế tạo các thiết bị Ge trên nền Si ứng dụng trong công nghệ CMOS.

Từ khóa: Tạp chí Khoa học và Công nghệ, Tăng trưởng hai bước, Epitaxy chùm phân tử, Ứng dụng quang điện tử, Tăng trưởng dạng đảo của germani