Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp epitaxy chùm phân tử

Trong nghiên cứu này, tính chất điện của màng Ge được pha tạp điện tử sử dụng đồng thời từ hai nguồn rắn GaP và Sb được tập trung khảo sát. Màng Ge được lắng đọng trực tiếp trên đế Si bằng phương pháp nuôi cấy chùm phân tử.

Từ khóa: Điện trở suất, Mật độ điện tử, Phổ huỳnh quang, Tính chất điện của màng Ge, Nguồn rắn GaP, Phương pháp nuôi cấy chùm phân tử